미국 반도체 기업 인텔이 차세대 반도체 핵심 제조 장비로 꼽히는 ASML의 '하이 뉴메리컬어퍼처(High NA)' 극자외선(EUV) 노광장비를 가장 먼저 손에 넣은 것으로 알려졌다. 우리나라 삼성전자와 대만의 TSMC에 비해 기술이 뒤쳐졌다는 평가를 받던 인텔이 2나노 미만 반도체 제조에 필요한 장비를 선점하며, 차세대 반도체 개발 경쟁이 내년 새 국면을 맞을 전망이다.

26일 업계에 따르면 네덜란드 반도체 장비 회사인 ASML은 첫 하이 NA EUV 장비를 인텔에 공급했다고 밝혔다. 앞서 팻 겔싱어 인텔 최고경영자(CEO)도 하이 NA EUV 최초 납품처가 인텔이라고 밝힌 바 있다.

하이 NA EUV는 파운드리(위탁생산) 업계의 '게임체인저'라 불릴 정도로, 2나노 미만 초미세 공정에 핵심 장비다. 현재 인텔뿐 아니라 대만 TSMC, 삼성전자 등 첨단 기술 경쟁을 벌이는 반도체 회사들이 줄을 서서 장비 납품을 대기 중이다. 이런 가운데 인텔이 가장 먼저 장비를 확보한 것이 시장 경쟁에 어떤 변수를 낳을지가 업계의 관심이 쏠리고 있다.

앞서 인텔은 내년 상반기 2나노급 제품인 '20A'(옹스트롬·0.1나노미터) 공정을 양산하겠다고 선언했다. 이는 TSMC, 삼성전자가 목표로 삼은 2025년보다 1년가량 빠른 속도다. 또 내년 하반기를 목표로 1.8나노 기술인 '18A'도 개발을 진행 중이다.

다만 업계에서는 얼마나 빨리 양산하느냐보다 수율(결함 없는 합격품의 비율)과 고객사 확보 상황 등이 더 중요하다고 이야기 한다. 인텔의 첨단 파운드리 시장 참전으로, TSMC와 삼성전자의 주도권 경쟁도 한층 더 치열해질 전망이다.

TSMC는 최근 핵심 생산기지가 될 미국 애리조나 공장이 현지 인력 확보 어려움 등을 이유로 생산 시점을 2025년으로 연기하는 등 악재를 겪고 있다.

이에 맞서 삼성전자는 내년부터 세계 최초로 양산한 3나노의 차세대 공정 '3나노 2세대'의 양산을 시작한다. 또 2나노 기술 개발에 전념하고 있다. 특히 삼성전자는 최근 윤석열 대통령의 네덜란드 국빈 방문을 계기로 ASML과 내년부터 1조원을 투입해 공동 R&D 센터를 짓기로 했다.

이와 관련 경계현 삼성전자 DS부문장(사장)은 "삼성이 하이 NA EUV의 기술적 우선권을 확보했다"며 "장기적으로 하이 NA EUV를 잘 쓸 수 있는 계기가 생겼다"고 했다.