SK하이닉스가 중국 상하이 판매법인의 청산 절차에 돌입했다. 상하이 판매법인이 중국 현지 반도체 판매 사업의 중심이었지만, 반도체 생산공장을 운영 중인 우시를 중국 사업의 거점으로 삼고 중국 사업을 재정비 하려는 것으로 풀이된다.

18일 SK하이닉스의 2023년 감사보고서에 따르면 SK하이닉스는 지난해 4분기부터 중국 상하이 판매법인에 대한 청산 절차를 진행 중이다.

SK하이닉스는 2006년 상하이에 판매법인을 설립해 중국 매출을 끌어올렸지만 약 17년 만에 청산에 나섰다. 현재 SK하이닉스는 우시(D램), 다롄(낸드플래시), 충칭(패키징) 등 3곳의 중국 공장을 운영하고 있다.

SK하이닉스가 상하이 판매법인을 정리하는 것은 우시와 상하이가 지리적으로 가깝다는 점도 한 몫 했다. 특히 중국 거점이 우시로 넘어가면서 상하이 판매법인의 매출이 줄어들자 과감하게 청산을 결정한 것으로 보인다. 또한 최근 미국이 중국의 반도체 산업 제재를 강화하면서 상대적으로 중요도가 낮은 판매법인을 미리 정리해 지정학적 리스크를 줄이겠다는 의도로 풀이될 수 있다.

실제로 SK하이닉스는 중국에 대한 미국의 극자외선(EUV) 반도체 규제 속에서 우시 공장의 공정 전환을 통해 D램 사업을 강화하고 있다. 

업계에 따르면 SK하이닉스는 연내 중국 우시 공장의 일부인 ‘C2’ 팹을 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 초반의 4세대(1a) D램 공정으로 전환할 계획이다. 

우시 공장은 SK하이닉스 전체 D램의 약 40%를 만드는 핵심 생산 기지다. 현재 구형(레거시) 제품군에 속하는 10나노급 후반의 2세대(1y), 3세대(1z) D램 등을 제조하고 있다.

그동안 미국의 대중 규제로 우시 공장을 10㎚급 4세대 D램 이상의 공정으로 전환하기가 쉽지 않았지만, 최근 SK하이닉스는 우시 라인에서 4세대 D램 공정의 일부를 진행하고 이 웨이퍼를 본사가 있는 이천캠퍼스로 가져와 EUV를 적용한 뒤 다시 우시로 보내 공정을 마무리하는 방식을 적용하기로 했다. 

SK하이닉스의 이번 결정은 2013년 우시 공장 화재 당시 이 같은 방법으로 D램 생산 차질 문제를 극복한 경험이 큰 몫을 했다.

현재 SK하이닉스는 시장 1위인 고대역폭메모리(HBM)를 사수하려면 10㎚급 4세대 D램 이상의 하이엔드 제품이 필요하다. SK하이닉스가 현재까지 생산하고 있는 4세대 HBM(HBM3) 제품의 최대 용량은 24GB다. 16Gb짜리 10나노급 후반의 3세대(1z) D램 제품을 12단으로 쌓아 올렸을 때 나올 수 있는 용량이다.

SK하이닉스가 올 상반기부터 양산해야 하는 신제품 5세대 HBM(HBM3E)의 개당 최대 용량은 36GB(288Gb)다. 24Gb D램을 12개 쌓아 올려 구현한 칩이다. SK하이닉스는 2021년 4세대 D램 공정으로 24Gb D램을 처음으로 구현했다. HBM3E는 4세대 D램 이상으로 만들어야 고객사의 요구 사항을 충족할 수 있다.

우시 공장은 현재 HBM3에 활용됐던 3세대 D램 위주로 생산한다. 엔비디아 등 핵심 고객사의 늘어나는 HBM3E 주문 물량에 대응하려면 본사인 이천 공장 외에 우시 D램 공정을 전환해야 한다는 결론에 이른 것으로 해석된다.

이와 관련해 SK하이닉스 측은 “우시 공장의 공정 전환과 관련해 확인해줄 수 없다”는 입장을 냈다.