SK하이닉스는 23일 진행된 지난해 4·4분기 실적 컨퍼런스콜에서 “고대역폭메모리(HBM) 6세대인 HBM4는 이미 기술 안정성과 양산성이 입증된 10나노급 1b 공정을 적용해 개발을 진행 중”이라며 “올 하반기 개발과 양산 준비를 마무리하고 공급하는 것을 목표로 한다”고 설명했다.

이어 “HBM4 공급은 12단을 시작으로 하고 이후 16단은 고객 요구 시점에 맞춰 공급할 예정으로 내년 하반기를 예상하고 있다”며 “16단까지 적층하는 패키징 기술에 대해 HBM3E에서 어드밴스드 MR-MUF 패키징 기술 적용한 경험을 바탕으로 진행할 것”이라고 밝혔다.

그러면서 “HBM4에서는 처음으로 베이스다이에 로직 파운드리를 활용해 성능과 전력 특성을 보강할 계획이며, 이를 위해 TSMC와 원팀 체계 구축해 협업하고 있다”고 말했다. 

DDR5와 LPDDR5 제품에 대해서는 “확고한 기술 경쟁력을 바탕으로 첨단 공정 전환을 진행 중이며, 후발 업체 대비 경쟁력 있는 제품 생산을 목표로 하고 있다”고 덧붙였다. 낸드 사업에 대해서는 “엔터프라이즈 SSD를 제외한 다수의 응용처에서 수요 개선이 지연되고 있어, 수익성 중심의 운영과 유연한 판매 전략으로 대응하겠다”고 밝혔다.

SK하이닉스는 차세대 기술 개발뿐만 아니라 양산 인프라도 선제적으로 준비 중이다. 

김우현 CFO는 “청주에 건설 중인 M15X 팹은 올해 4분기 가동을 목표로 하고 있으며, 용인 클러스터 1기 팹은 2027년 2분기 가동을 목표로 올해 본격적인 공사에 들어갈 예정”이라고 설명했다.

이어 “신규 팹 건설로 인해 올해 인프라 투자비는 크게 증가하지만, 전체 투자비는 전년 대비 소폭 증가에 그칠 것”이라고 덧붙였다.

SK하이닉스는 우수한 성능과 안정적 초기 수율 보이는 1c 나노 공정을 향후 HBM4E에 적용해 차세대 HBM 적기 개발 공급해 시장 리더십 유지할 방침이다. 

1c 나노 제품에 관해 SK하이닉스는 “개발 단계에서 초기 양산 목표 수율 상회하고 있고 양산 확대 시 유의미한 수준의 원가절감도 가능할 것”이라며 “하반기부터 일반 D램 적용해 양산을 시작하지만, 올해 투자 상당 부분이 이미 고객 수요 확보된 HBM, 인프라 투자에 집중돼있어 향후 수요 고려해 램프 업 투자를 고려하겠다”고 설명했다. 

덧붙여 “1b 나노 우수 개발 경험을 바탕으로 지난해 하반기 1c 나노 제품 개발 완료했고 양산성을 확보했다”며 “1c 나노 기반 DDR5 제품은 최대 지원 속도가 이전 제품보다 28% 향상됐고 전력 효율도 9% 이상 개선됐다. AI 시대로 넘어오면서 빠른 데이터 처리 속도, 저전력 추세에 맞춰 향후 서버 수요에 최적화된 제품”이라고 말했다. 

또 SK하이닉스는 중국 D램 업체의 기술과 상당한 차이가 있다고 밝혔다.

이에 대해 “작년 하반기부터 중국 D램 공급사의 레거시제품 공급 확대와 수요 둔화가 맞물리며 DDR4와 LPDDR4 등 레거시(구형) 제품 가격 하락이 이어지고 있고, 최근 (중국 기업들의) DDR5 개발과 판매 소식도 거론되고 있다”고 말했다.

이어 “주요 공급 업체들이 적용하는 선단 공정에 비해 (중국) 후발업체들이 적용하는 기술에는 상당한 차이가 있다”며 “이를 기반으로 만든 DDR5는 품질과 성능에서 확실한 차이가 있다”고 설명했다.

아울러 “미국의 대 중 제재 기조가 계속 이어지고 있어서 중국은 첨단 테크 (투자) 과정에서 더 큰 불확실성에 직면할 것”이라고 덧붙였다.

SK하이닉스는 “HBM를 중심으로 AI 반도체 수익을 극대화하는 반면, 일반 D램은 제한된 생산능력(캐파) 내에서 수익성에 우선한 제품 믹스를 운영하겠다”며 “선단 기술로 전환해서 고객 수요에 적기 대응하고 래거시 제품 재고 건전화를 추진할 것”이라고 했다.